Infineon

Félvezetők

Kategóriák

1 megtekintése - 20 / 5363 termék
A kiválasztottak összehasonlítása 0/8
Megtekintés mint:
Ár
(ÁFA nélkül)
Leírás
Part Details
  • 704 Ft
    Darab (2 darabos csomagbol)
PWM áramszabályzású vezérlő ICE3BR0665JXKLA1 9,95 A, Záró üzemű, 65 kHz, -0,3 → 27 V, 8-tüskés, DIP
  • PWM kimenetek száma1
  • Vezérlő módÁramerősség
  • TopológiaZáró üzemű
  • Emelkedés ideje30ns
  • Leesési idő30ns
Hasonló PWM áramszabályzású vezérlők megtekintése
  • 598 Ft
    Darab (egy rudon 50)
PWM áramszabályzású vezérlő ICE3BR0665JXKLA1 9,95 A, Záró üzemű, 65 kHz, -0,3 → 27 V, 8-tüskés, DIP
  • PWM kimenetek száma1
  • Vezérlő módÁramerősség
  • TopológiaZáró üzemű
  • Emelkedés ideje30ns
  • Leesési idő30ns
Hasonló PWM áramszabályzású vezérlők megtekintése
  • 775 FtDarab
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram30 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség55 V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 16 886 FtDarab
KITXMC48RELAXECATV1TOB01 Kiértékelőkészlet
  • BesorolásKiértékelőkészlet
  • Készlet neveXMC4800 Relax EtherCAT MCU
  • TechnológiaKiértékelőkártya
  • EszközmagARM Cortex M4
  • Processzorcsalád neveXMC
Hasonló Processzor és mikrovezérlő fejlesztőkészletek megtekintése
  • RS raktári szám
    917-0741
  • Gyártó
    Infineon
  • Gyártó cikkszáma
    KITXMC48RELAXECATV1TOB01
  • 300 Ft
    Darab (egy rudon 50)
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram30 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség55 V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 102 Ft
    Darab (10 darabos csomagbol)
MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaP
  • Maximális folyamatos nyelőáram3 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaSOT-23
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 33 Ft
    Darab (3000 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaP
  • Maximális folyamatos nyelőáram3 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaSOT-23
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 49 395 FtDarab
Infineon FZ600R12KS4HOSA1 IGBT-modul, N-csatornás, 700 A, 1200 V, AG-62MM-2 Egyszeres
  • KiosztásEgyszeres
  • TranzisztorkonfigurációEgyszeres
  • Maximális folyamatos kollektoráram700 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség1200 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
Hasonló IGBT-modulok megtekintése
  • 716 Ft
    Darab (egy rudon 25)
MOSFET, 1 elem/chip, 160 A, 55 V, 3-tüskés, TO-247 HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram160 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség55 V
  • Csomag típusaTO-247
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 301 FtDarab
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram47 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség55 V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 263 Ft
    Darab (egy rudon 50)
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram47 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség55 V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 849 Ft
    Darab (5 darabos csomagbol)
MOSFET, 1 elem/chip, 160 A, 55 V, 3-tüskés, TO-247 HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram160 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség55 V
  • Csomag típusaTO-247
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 43 666 Ft
    Darab (egy talcan 10)
Infineon FZ600R12KS4HOSA1 IGBT-modul, N-csatornás, 700 A, 1200 V, AG-62MM-2 Egyszeres
  • TranzisztorkonfigurációEgyszeres
  • KiosztásEgyszeres
  • Maximális folyamatos kollektoráram700 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség1200 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
Hasonló IGBT-modulok megtekintése
  • 716 Ft
    Darab (egy rudon 50)
Infineon IRG4BC30WPBF IGBT N-csatornás, 23 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres
  • Maximális folyamatos kollektoráram23 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség600 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló IGBT-k megtekintése
  • 839 FtDarab
Infineon IRG4BC30WPBF IGBT N-csatornás, 23 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres
  • Maximális folyamatos kollektoráram23 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség600 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló IGBT-k megtekintése
  • 31 Ft
    Darab (3000 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 5,3 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram5,3 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaSOT-23
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 401 Ft
    Darab (5 darabos csomagbol)
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 30 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram150 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 341 Ft
    Darab (egy rudon 50)
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 30 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram150 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 88 Ft
    Darab (20 darabos csomagbol)
MOSFET, 1 elem/chip, 5.3 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram5.3 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaSOT-23
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 273 Ft
    Darab (10 darabos csomagbol)
MOSFET, 1 elem/chip, 4,9 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram4,9 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaSOIC
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Nemrégiben keresett
Gyakran ismételt kérdések
Segítségre van szüksége?
Hívja ügyfélszolgálatunkat:
06 1 580 2262