Infineon

Diszkrét félvezetők

1 megtekintése - 20 / 4495 termék
A kiválasztottak összehasonlítása 0/8
Megtekintés mint:
Ár
(ÁFA nélkül)
Leírás
Part Details
  • 348 FtDarab
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram30 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség55 V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 294 Ft
    Darab (egy rudon 50)
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram30 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség55 V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 93 Ft
    Darab (10 darabos csomagbol)
MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaP
  • Maximális folyamatos nyelőáram3 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaSOT-23
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 32 Ft
    Darab (3000 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaP
  • Maximális folyamatos nyelőáram3 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaSOT-23
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 257 Ft
    Darab (egy rudon 50)
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram47 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség55 V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 51 559 FtDarab
Infineon FZ600R12KS4HOSA1 IGBT-modul N-csatornás, 700 A, 1200 V, AG-62MM-2 Egyszeres
  • Maximális folyamatos kollektoráram700 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség1200 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Maximális teljesítménydisszipáció3,9 kW
  • Csomag típusaAG-62MM-2
Hasonló IGBT-k megtekintése
  • 69 456 Ft
    Darab (egy talcan 10)
Infineon FZ600R12KS4HOSA1 IGBT-modul N-csatornás, 700 A, 1200 V, AG-62MM-2 Egyszeres
  • Maximális folyamatos kollektoráram700 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség1200 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Maximális teljesítménydisszipáció3,9 kW
  • Csomag típusaAG-62MM-2
Hasonló IGBT-k megtekintése
  • 736 Ft
    Darab (egy rudon 25)
MOSFET, 1 elem/chip, 160 A, 55 V, 3-tüskés, TO-247 HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram160 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség55 V
  • Csomag típusaTO-247
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 868 Ft
    Darab (5 darabos csomagbol)
MOSFET, 1 elem/chip, 160 A, 55 V, 3-tüskés, TO-247 HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram160 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség55 V
  • Csomag típusaTO-247
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 305 FtDarab
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram47 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség55 V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 861 FtDarab
Infineon IRG4BC30WPBF IGBT N-csatornás, 23 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres
  • Maximális folyamatos kollektoráram23 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség600 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló IGBT-k megtekintése
  • 83 Ft
    Darab (20 darabos csomagbol)
MOSFET, 1 elem/chip, 5.3 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram5.3 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaSOT-23
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 29 Ft
    Darab (3000 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 5,3 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram5,3 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaSOT-23
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 359 Ft
    Darab (5 darabos csomagbol)
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 30 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram150 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 728 Ft
    Darab (egy rudon 50)
Infineon IRG4BC30WPBF IGBT N-csatornás, 23 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres
  • Maximális folyamatos kollektoráram23 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség600 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló IGBT-k megtekintése
  • 304 Ft
    Darab (egy rudon 50)
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 30 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram150 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 537 Ft
    Darab (10 darabos csomagbol)
MOSFET, 1 elem/chip, 4,9 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram4,9 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaSOIC
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 360 Ft
    Darab (4000 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 4,9 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram4,9 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaSOIC
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 54 Ft
    Darab (3000 egy tekercsen)
Bipoláris tranzisztor BFP840ESDH6327XTSA1, NPN, 35 mA, 2,25 V, 80 GHz, 4-tüskés Egyszeres
  • TranzisztortípusNPN
  • Maximális DC kollektoráram35 mA
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség2,25 V
  • Csomag típusaSOT-343
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló Bipoláris tranzisztorok megtekintése
  • 785 Ft
    Darab (2 darabos csomagbol)
MOSFET, 1 elem/chip, 343 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram343 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség40 V
  • Csomag típusaTO-220AB
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Nemrégiben keresett
Gyakran ismételt kérdések
Segítségre van szüksége?
Hívja ügyfélszolgálatunkat:
06 1 580 2262