RF bipoláris tranzisztor BFP840FESDH6327XTSA1, NPN, 35 mA, 2,25 V, 85 GHz, 4-tüskés Egyszeres
- RS raktári szám:
- 170-2255
- Gyártó cikkszáma:
- BFP840FESDH6327XTSA1
- Gyártó:
- Infineon
Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2024.08.19. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Hozzáadva
Ár Darab (3000 egy tekercsen)
49 Ft
(ÁFA nélkül)
62 Ft
(ÁFÁ-val)
| Egység | Per unit | orsónként* |
| 3000 + | 49 Ft | 146 400 Ft |
| *ár | ||
- RS raktári szám:
- 170-2255
- Gyártó cikkszáma:
- BFP840FESDH6327XTSA1
- Gyártó:
- Infineon
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
A BFP840FESD egy nagy teljesítményű HBT (heteroátmenetes bipoláris tranzisztor), amelyet kifejezetten 5–6 GHz-es WiFi-alkalmazásokhoz terveztek. Az eszköz az Infineon megbízható, nagy volumenű SiGe:C technológiáján alapul. A BFP840FESD jellemzőinél fogva kiváló be- és kimeneti teljesítményillesztést és zajillesztést biztosít 5–6 GHz-en. Az egyidejű zaj- és teljesítményillesztés, továbbá a veszteséges külső illesztő alkatrészek hiánya a bemenetnél nagyon jó zajgörbét és nagyon magas jelátalakító-erősítést eredményez a WiFi-alkalmazásban, és a külső alkatrészek száma is kicsi.
Az Infineon megbízható, nagy volumenű SiGe:C ostyás technológiáján alapuló robusztus, nagy teljesítményű, alacsony zajszintű erősítő
2 kV-os ESD-ellenállóság (HBM) az integrált védelmi áramköröknek köszönhetően
Magas maximális RF bemeneti teljesítmény: 21 dBm
0,6 dB minimális zaj
26 dB maximális erősítés
23,5 dBm OIP3 jellemző érték 5,5 GHz, 25 mA esetén
Pontos SPICE GP modell kapható, amellyel lehetővé válik a hatékony folyamaton belüli tervezés
2 kV-os ESD-ellenállóság (HBM) az integrált védelmi áramköröknek köszönhetően
Magas maximális RF bemeneti teljesítmény: 21 dBm
0,6 dB minimális zaj
26 dB maximális erősítés
23,5 dBm OIP3 jellemző érték 5,5 GHz, 25 mA esetén
Pontos SPICE GP modell kapható, amellyel lehetővé válik a hatékony folyamaton belüli tervezés
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Tranzisztortípus | NPN |
| Maximális DC kollektoráram | 35 mA |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség | 2,25 V |
| Csomag típusa | TSFP |
| Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 75 mW |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Maximális kollektor alapfeszültség | 2,9 V |
| Maximális üzemi frekvencia | 85 GHz |
| Tüskék száma | 4 |
| Elemek száma chipenként | 1 |
| Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
| Méret | 1.4 x 0.8 x 0.55mm |
- RS raktári szám:
- 170-2255
- Gyártó cikkszáma:
- BFP840FESDH6327XTSA1
- Gyártó:
- Infineon