Bipoláris tranzisztor BFP840ESDH6327XTSA1, NPN, 35 mA, 2,25 V, 80 GHz, 4-tüskés Egyszeres
- RS raktári szám:
- 165-5849
- Gyártó cikkszáma:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- Gyártó:
- Infineon
Megszüntetett termék
- RS raktári szám:
- 165-5849
- Gyártó cikkszáma:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- Gyártó:
- Infineon
Engedélyezés és megfelelőség
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Termékadatok
SiGe RF Bipoláris tranzisztorok Infineon
Az Infineon extra alacsony zajszintű vezeték-vezérlő NPN bipoláris RF tranzisztorok széles választéka. Ezek a hetero-csatlakozó bipoláris eszközök az Infineon szilícium-germánium szénatomot (SiGe:C) használnak, és különösen alkalmasak olyan mobil alkalmazások használatára, amelyekben az alacsony energiafogyasztás kulcsfontosságú. Az akár 65 GHz-es jellemző átmeneti frekvenciákkal ezek az eszközök akár 10 GHz-es frekvencián is nagy teljesítménynövekedést biztosítanak erősítőalkalmazásokhoz. A tranzisztorok tartalmaznak egy belső áramköri áramkört ESD-hez és egy túlzott RF bemeneti tápellátás-védelemhez.
Kétpólusú tranzisztorok Infineon
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Tranzisztortípus | NPN |
| Maximális DC kollektoráram | 35 mA |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség | 2,25 V |
| Csomag típusa | SOT-343 |
| Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 75 mW |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Maximális kollektor alapfeszültség | 2,9 V |
| Maximális üzemi frekvencia | 80 GHz |
| Tüskék száma | 4 |
| Elemek száma chipenként | 1 |
| Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
| Méret | 2 x 1.25 x 0.8mm |
- RS raktári szám:
- 165-5849
- Gyártó cikkszáma:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- Gyártó:
- Infineon