SiGe bipoláris tranzisztor BFP840ESDH6327XTSA1, NPN, 35 mA, 2,25 V, HFE:150, 80 GHz, 4-tüskés

  • RS raktári szám 165-5849
  • Gyártó cikkszáma BFP840ESDH6327XTSA1
  • Gyártó Infineon
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
RoHS követelményeknek megfelelő
Származási ország (Country of Origin): CN
Termékadatok

SiGe RF Bipoláris tranzisztorok Infineon

Az Infineon extra alacsony zajszintű vezeték-vezérlő NPN bipoláris RF tranzisztorok széles választéka. Ezek a hetero-csatlakozó bipoláris eszközök az Infineon szilícium-germánium szénatomot (SiGe:C) használnak, és különösen alkalmasak olyan mobil alkalmazások használatára, amelyekben az alacsony energiafogyasztás kulcsfontosságú. Az akár 65 GHz-es jellemző átmeneti frekvenciákkal ezek az eszközök akár 10 GHz-es frekvencián is nagy teljesítménynövekedést biztosítanak erősítőalkalmazásokhoz. A tranzisztorok tartalmaznak egy belső áramköri áramkört ESD-hez és egy túlzott RF bemeneti tápellátás-védelemhez.

Kétpólusú tranzisztorok Infineon

Jellemzők
Tulajdonság Érték
Tranzisztortípus NPN
Maximális DC kollektoráram 35 mA
Maximális kollektor kibocsátó feszültség 2,25 V
Csomag típusa SOT-343
Rögzítés típusa Felületre szerelhető
Maximális teljesítménydisszipáció 75 mW
Minimális egyenáramú erősítés 150
Tranzisztorkonfiguráció Egyszeres
Maximális kollektor alapfeszültség 2,9 V
Maximális üzemi frekvencia 80 GHz
Tüskék száma 4
Elemek száma chipenként 1
Maximális működési hőmérséklet +150 °C
Hossz 2mm
Szélesség 1.25mm
Tranzisztor anyaga SiGe
Magasság 0.8mm
Méret 2 x 1.25 x 0.8mm
Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2020.04.14. A szállítás 2 munkanapot vesz igénybe.
Ár Darab (3000 egy tekercsen)
48 Ft
(ÁFA nélkül)
61 Ft
(ÁFÁ-val)
egység
Per unit
orsónként*
3000 +
48 Ft
144 000 Ft
*ár
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.