Bipoláris tranzisztor BFP640H6327XTSA1, NPN, 50 mA, 4 V, 40 GHz, 4-tüskés Egyszeres
- RS raktári szám:
- 827-5063
- Gyártó cikkszáma:
- BFP640H6327XTSA1
- Gyártó:
- Infineon
Megszüntetett termék
- RS raktári szám:
- 827-5063
- Gyártó cikkszáma:
- BFP640H6327XTSA1
- Gyártó:
- Infineon
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
SiGe RF Bipoláris tranzisztorok Infineon
Az Infineon extra alacsony zajszintű vezeték-vezérlő NPN bipoláris RF tranzisztorok széles választéka. Ezek a hetero-csatlakozó bipoláris eszközök az Infineon szilícium-germánium szénatomot (SiGe:C) használnak, és különösen alkalmasak olyan mobil alkalmazások használatára, amelyekben az alacsony energiafogyasztás kulcsfontosságú. Az akár 65 GHz-es jellemző átmeneti frekvenciákkal ezek az eszközök akár 10 GHz-es frekvencián is nagy teljesítménynövekedést biztosítanak erősítőalkalmazásokhoz. A tranzisztorok tartalmaznak egy belső áramköri áramkört ESD-hez és egy túlzott RF bemeneti tápellátás-védelemhez.
Kétpólusú tranzisztorok Infineon
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Tranzisztortípus | NPN |
| Maximális DC kollektoráram | 50 mA |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség | 4 V |
| Csomag típusa | SOT-343 |
| Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 200 mW |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Maximális kollektor alapfeszültség | 13 V |
| Maximális kibocsátó alapfeszültség | 1,2 V |
| Maximális üzemi frekvencia | 40 GHz |
| Tüskék száma | 4 |
| Elemek száma chipenként | 1 |
| Méret | 2 x 1.25 x 0.9mm |
| Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
- RS raktári szám:
- 827-5063
- Gyártó cikkszáma:
- BFP640H6327XTSA1
- Gyártó:
- Infineon