ON Semiconductor MJD112T4G Darlington pár, NPN, 4 A, 100 V, HFE:200, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres

Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
RoHS követelményeknek megfelelő
Termékadatok

Az on Semiconductor NPN Darlington tranzisztorok

Szabványok

A gyártó S vagy NSV előtaggal ellátott cikkszámai az AEC-Q101 szabványnak megfelelő autóipari gépek.

Jellemzők
Tulajdonság Érték
Tranzisztortípus NPN
Maximális folyamatos kollektoráram 4 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség 100 V
Maximális kibocsátó alapfeszültség 5 V
Csomag típusa DPAK (TO-252)
Rögzítés típusa Felületre szerelhető
Tüskék száma 3
Tranzisztorkonfiguráció Egyszeres
Elemek száma chipenként 1
Minimális egyenáramú erősítés 200
Maximális alap kibocsátó telítés feszültség 4 V
Maximális kollektor alapfeszültség 100 V
Maximális kollektor kibocsátó telítés feszültség 3 V
Maximális kollektor levágási feszültség 0.02mA
Magasság 2.38mm
Maximális működési hőmérséklet +150 °C
Hossz 6.73mm
Méret 6.73 x 6.22 x 2.38mm
Szélesség 6.22mm
Min. működési hőmérséklet -65 °C
560 Raktáron van 1 munkanapon belüli szállításra
Ár Darab (20 darabos csomagbol)
146 Ft
(ÁFA nélkül)
185 Ft
(ÁFÁ-val)
egység
Per unit
csomagonként*
20 +
146 Ft
2 918 Ft
*ár
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Csomagolás típusa: