FRAM memória FM24V02A-G, Soros i2C 256kbit, 32K x 8 bit, 450ns, 2 V – 3,6 V, -40 °C és +85 °C között, 8-tüskés, SOIC

A Ferroelektromos Véletlen hozzáférésű memória (F-RAM) energiahatékony, és a soros és párhuzamos interfészeken egyaránt a legnagyobb megbízhatósággal rendelkezik a nem felejtő kosoknak. Az A jelű alkatrészeket járműalkalmazásokhoz tervezték, és az AEC-Q100 mellé állnak.

Nemfelejtő Ferroelektromos Ram Memória
Gyors írási sebesség
Nagy teherbírásra
Kis teljesítményfelvétel

256 Kbit vaselektromos véletlen elérésű memória (F-RAM logikailag 32K x 8 néven van megszervezve
Nagy teherbírású 100 trillió (1014) olvasás/írás
151 éves adatrögzítés (Lásd az Adat megtartási táblázatot)
NoDelay™ ír
Advanced nagy megbízhatóságú ferromelektromos eljárás
Gyors, kétvezetékes soros interfész (I2C)
Akár 3,4 MHz frekvencia[1]
A soros EEPROM-hoz szükséges közvetlen hardvercsere
Támogatja a hagyományos időzítéseket 100 kHz-en és 400 kHz-en
Készülékazonosító
Gyártó azonosító és termékazonosító
Kis teljesítményfelvétel
175-μA 100 kHz-es aktív áram
150 μA készenléti áram
8 μA alvó üzemmód áramerőssége
Alacsony feszültségű működés: VDD = 2,0 V és 3,6 V között
Ipari hőmérséklet: -40 °C és +85 °C között
8-tűs kis méretű, integrált áramkörű (SOIC) csomag

Far (Ferroelektromos RAM)

A fraim (Ferroelektromos Random Access Memory) egy nem felejtő memória, amely ferroelektromos filmet használ kondenzátorként az adatok tárolásához. A ROM- és RAM-eszközök jellemzőinek birtokában az F-RAM jellemzője a nagy sebességű hozzáférés, az írás módban nagy élettartam, az alacsony energiafogyasztás, az illékonyság és a kiváló szabotázsvédelem. Ezért ideális memória olyan intelligens kártyák számára, amelyeknek magas szintű biztonságra és alacsony áramfogyasztásra, valamint mobiltelefonokra és egyéb eszközökre van szükségük.