AEC-Q100 FRAM memória FM18W08-SG, Párhuzamos 256kbit, 32K x 8 bit, 70ns, 2,7 V – 5,5 V, -40 °C és +85 °C között,

A Ferroelektromos Véletlen hozzáférésű memória (F-RAM) energiahatékony, és a soros és párhuzamos interfészeken egyaránt a legnagyobb megbízhatósággal rendelkezik a nem felejtő kosoknak. Az A jelű alkatrészeket járműalkalmazásokhoz tervezték, és az AEC-Q100 mellé állnak.

Nemfelejtő Ferroelektromos Ram Memória
Gyors írási sebesség
Nagy teherbírásra
Kis teljesítményfelvétel

256 Kbit vaselektromos véletlen hozzáférésű memória (F-RAM) logikailag 32 K x 8 néven van megszervezve
Nagy teherbírású 100 trillió (1014) olvasás/írás
151 éves adatvisszatartás
NoDelay™ ír
Advanced nagy megbízhatóságú ferromelektromos eljárás
SRAM és EEPROM kompatibilis
Szabványos 32 K x 8 SRAM és EEPROM csatlakozópont
70 ns hozzáférési idő, 130 ns ciklusidő
Az akkumulátorral támogatott SRAM-moduloknál jobb
Az akkumulátorral kapcsolatban nincsenek aggályok
Egységes megbízhatóság
Valódi, felületre szerelhető megoldás, nincs javítás
Kiváló nedvesség, ütés és rezgés
Negatív feszültség alatt lévő albuckákkal szemben ellenálló
Kis teljesítményfelvétel
Aktív áramerősség 12 mA (max.)
Készenléti áram 20 μA (típus)
Széles feszültség: VDD = 2,7 V - 5,5 V.
Ipari hőmérséklet: -40 °C és +85 °C között
A 28 érintkezős, kis méretű, integrált áramkörű (SOIC) csomag

Far (Ferroelektromos RAM)

A fraim (Ferroelektromos Random Access Memory) egy nem felejtő memória, amely ferroelektromos filmet használ kondenzátorként az adatok tárolásához. A ROM- és RAM-eszközök jellemzőinek birtokában az F-RAM jellemzője a nagy sebességű hozzáférés, az írás módban nagy élettartam, az alacsony energiafogyasztás, az illékonyság és a kiváló szabotázsvédelem. Ezért ideális memória olyan intelligens kártyák számára, amelyeknek magas szintű biztonságra és alacsony áramfogyasztásra, valamint mobiltelefonokra és egyéb eszközökre van szükségük.