AEC-Q100 FRAM memória FM24C64B-G, I2C 64kbit, 8K x 8 bit, 550ns, 4,5 V – 5,5 V, -40 °C és +85 °C között, 8-tüskés, SOIC

A Ferroelektromos Véletlen hozzáférésű memória (F-RAM) energiahatékony, és a soros és párhuzamos interfészeken egyaránt a legnagyobb megbízhatósággal rendelkezik a nem felejtő kosoknak. Az A jelű alkatrészeket járműalkalmazásokhoz tervezték, és az AEC-Q100 mellé állnak.

Nemfelejtő Ferroelektromos Ram Memória
Gyors írási sebesség
Nagy teherbírásra
Kis teljesítményfelvétel

64-Kbit-os ferromágneses véletlen hozzáférésű memória (F-RAM) logikailag 8K x 8-as elrendezésben
Nagy teherbírású 100 trillió (1014) olvasás/írás
151 éves adatvisszatartás
NoDelay™ ír
Advanced nagy megbízhatóságú ferromelektromos eljárás
Gyors, kétvezetékes soros interfész (I2C)
Akár 1 MHz frekvencia
Közvetlen hardvercsere a soros (I2C) EEPROM-nál
Támogatja a hagyományos időzítéseket 100 kHz-en és 400 kHz-en
Kis teljesítményfelvétel
100 μA (típus) aktív áram 100 kHz-en
4 μA (tipp) készenléti áram
Feszültségműködés: VDD = 4,5 V - 5,5 V
Ipari hőmérséklet: -40 °C és +85 °C között
8-tűs kis méretű, integrált áramkörű (SOIC) csomag

Far (Ferroelektromos RAM)

A fraim (Ferroelektromos Random Access Memory) egy nem felejtő memória, amely ferroelektromos filmet használ kondenzátorként az adatok tárolásához. A ROM- és RAM-eszközök jellemzőinek birtokában az F-RAM jellemzője a nagy sebességű hozzáférés, az írás módban nagy élettartam, az alacsony energiafogyasztás, az illékonyság és a kiváló szabotázsvédelem. Ezért ideális memória olyan intelligens kártyák számára, amelyeknek magas szintű biztonságra és alacsony áramfogyasztásra, valamint mobiltelefonokra és egyéb eszközökre van szükségük.