AEC-Q100 FRAM memória FM25CL64B-DG, SPI 64kbit, 8K x 8 bit, 20ns, 2,7 V – 3,65 V, -40 °C és +85 °C között, 8-tüskés, DFN
- RS raktári szám:
- 188-5412
- Gyártó cikkszáma:
- FM25CL64B-DG
- Gyártó:
- Infineon
Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2024.04.11. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.
Ár Darab (egy rudon 81)
1 342 Ft
(ÁFA nélkül)
1 704 Ft
(ÁFÁ-val)
egység | Per unit | csövenként* |
81 - 81 | 1 342 Ft | 108 670 Ft |
162 - 486 | 1 205 Ft | 97 589 Ft |
567 - 972 | 1 151 Ft | 93 239 Ft |
1053 + | 1 091 Ft | 88 347 Ft |
*ár |
- RS raktári szám:
- 188-5412
- Gyártó cikkszáma:
- FM25CL64B-DG
- Gyártó:
- Infineon
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
- Származási ország (Country of Origin):
- US
Termékadatok
FRAM, Cypress Semiconductor
A Ferroelektromos Véletlen hozzáférésű memória (F-RAM) energiahatékony, és a soros és párhuzamos interfészeken egyaránt a legnagyobb megbízhatósággal rendelkezik a nem felejtő kosoknak. Az A jelű alkatrészeket járműalkalmazásokhoz tervezték, és az AEC-Q100 mellé állnak.
Nemfelejtő Ferroelektromos Ram Memória
Gyors írási sebesség
Nagy teherbírásra
Kis teljesítményfelvétel
Gyors írási sebesség
Nagy teherbírásra
Kis teljesítményfelvétel
64-Kbit-os ferromágneses véletlen hozzáférésű memória (F-RAM) logikailag 8K x 8-as elrendezésben
Nagy teherbírású 100 trillió (1014) olvasás/írás
151 éves adatvisszatartás
NoDelay™ ír
Advanced nagy megbízhatóságú ferromelektromos eljárás
Nagyon gyors soros perifériainterfész (SPI)
Akár 20 MHz frekvencia
A soros flash és az EEPROM közvetlen hardvercseréje
Az SPI 0 (0, 0) és 3 (1, 1) módot támogatja
Kifinomult írásvédelmi rendszer
Hardvervédelem az Write Protect (WP) csap használatával
Szoftveres védelem az Írás letiltás utasítás használatával
1/4, 1/2 vagy teljes tömb szoftverblokk-védelme
Kis teljesítményfelvétel
200 μA aktív áramerősség 1 MHz-en
3 μA (tipp) készenléti áram
Kisfeszültségű működés: VDD = 2,7 V és 3,65 V között
Ipari hőmérséklet: -40 °C és +85 °C között
Csomagok
8-tűs kis méretű, integrált áramkörű (SOIC) csomag
8-pólusú vékony kettős lapos vezeték (DFN) csomag
Nagy teherbírású 100 trillió (1014) olvasás/írás
151 éves adatvisszatartás
NoDelay™ ír
Advanced nagy megbízhatóságú ferromelektromos eljárás
Nagyon gyors soros perifériainterfész (SPI)
Akár 20 MHz frekvencia
A soros flash és az EEPROM közvetlen hardvercseréje
Az SPI 0 (0, 0) és 3 (1, 1) módot támogatja
Kifinomult írásvédelmi rendszer
Hardvervédelem az Write Protect (WP) csap használatával
Szoftveres védelem az Írás letiltás utasítás használatával
1/4, 1/2 vagy teljes tömb szoftverblokk-védelme
Kis teljesítményfelvétel
200 μA aktív áramerősség 1 MHz-en
3 μA (tipp) készenléti áram
Kisfeszültségű működés: VDD = 2,7 V és 3,65 V között
Ipari hőmérséklet: -40 °C és +85 °C között
Csomagok
8-tűs kis méretű, integrált áramkörű (SOIC) csomag
8-pólusú vékony kettős lapos vezeték (DFN) csomag
Far (Ferroelektromos RAM)
A fraim (Ferroelektromos Random Access Memory) egy nem felejtő memória, amely ferroelektromos filmet használ kondenzátorként az adatok tárolásához. A ROM- és RAM-eszközök jellemzőinek birtokában az F-RAM jellemzője a nagy sebességű hozzáférés, az írás módban nagy élettartam, az alacsony energiafogyasztás, az illékonyság és a kiváló szabotázsvédelem. Ezért ideális memória olyan intelligens kártyák számára, amelyeknek magas szintű biztonságra és alacsony áramfogyasztásra, valamint mobiltelefonokra és egyéb eszközökre van szükségük.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
---|---|
Memória mérete | 64kbit |
Szervezet | 8K x 8 bit |
Interfész típusa | SPI |
Adatbusz szélessége | 8bit |
Maximális közvetlen elérési idő | 20ns |
Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
Csomag típusa | DFN |
Tüskék száma | 8 |
Méret | 4.5 x 4 x 0.75mm |
Hossz | 4.5mm |
Maximális tápfeszültség | 3,65 V |
Szélesség | 4mm |
Magasság | 0.75mm |
Maximális működési hőmérséklet | +85 °C |
Szavak száma | 8k |
Járműipari szabvány | AEC-Q100 |
Szavankénti bitszám | 8bit |
Minimális tápfeszültség | 2,7 V |
Min. működési hőmérséklet | -40 °C |