FRAM memória CY15V104QI-20LPXC, Soros SPI 4Mbit, 512K x 8 bit, 8-tüskés, GQFN

Advanced ferroelektromos eljárást alkalmazó alacsony energiafelvételű, 4 Mbit-es nem felejtő memória. A ferroelektromos véletlen hozzáférésű memória vagy az F-RAM nem felejtő, és a RAM-hoz hasonló olvasást és írást végez. 151 évig megbízható adattárolást biztosít, miközben kiküszöböli a soros flash memória, EEPROM és más nem felejtő memóriák okozta bonyolult, többletterhelés és rendszerszintű megbízhatósági problémákat.A soros flash Memóriától És az EEPROM-tól Eltérően buszsebességgel végzi az írási műveleteket. Az adatok közvetlenül az után kerülnek a tárolótömbre, hogy minden bájt sikeresen átkerült az eszközre. A következő busz ciklus adatlekérdezés nélkül is elkezdődhet. A termék a többi nem felejtő memóriához képest jelentős írási tartóssága. Képes 1015 olvasási/írási ciklus vagy 1000 millió hosszabb írási ciklus támogatására, mint az EEPROM. Ideális nem felejtő memóriaalkalmazásokhoz, amelyek gyakori vagy Rapid írást igényelnek. Jelentős előnyöket biztosít a soros EEPROM vagy flash felhasználói számára, mint a hardver leesése a cserében.