FRAM memória CY15B104QN-50SXI, Soros SPI 4Mbit, 512K x 8 bit, 450 (Minimum)μs, 8-tüskés, SOIC

Advanced ferroelektromos eljárást alkalmazó kis teljesítményű, 4 Mbit nem illó-emóriás. A ferroelektromos véletlen hozzáférésű memória vagy az F-RAM nem felejtő, és a RAM-hoz hasonló olvasást és írást végez. 151 évig megbízható adatmegőrzést biztosít, miközben kiküszöböli a soros flash memória, EEPROM és más nem felejtő memóriák okozta bonyolult, többletterhelés és rendszerszintű megbízhatósági problémákat. Nincs írási késedelem. Az adatok közvetlenül az után kerülnek a tárolótömbre, hogy minden bájt sikeresen átkerült az eszközre. A következő busz ciklus adatlekérdezés nélkül is elkezdődhet. Emellett a termék a többi nem felejtő memóriához képest jelentős írási tartóssága van. Képes 1015 olvasási/írási ciklus vagy 1000 millió hosszabb írási ciklus támogatására, mint az EEPROM. Ideális nem felejtő memóriaalkalmazásokhoz, amelyek gyakori vagy Rapid írást igényelnek. Jelentős előnyöket biztosít a soros EEPROM vagy flash felhasználói számára, mint a hardver leesése a cserében. A nagysebességű SPI buszt használja, amely javítja az F-RAM technológia nagysebességű írási képességét.