FRAM memória CY15B108QN-20LPXC, Soros SPI 8Mbit, 1024K x 8 bit, 450 (Minimum)μs, 8-tüskés, GQFN

Advanced ferroelektromos eljárást alkalmazó kis teljesítményű, 8 Mbit nem illó-emóriás. A ferroelektromos véletlen hozzáférésű memória vagy az F-RAM nem felejtő, és a RAM-hoz hasonló olvasást és írást végez. 151 évig megbízható adattárolást biztosít, miközben kiküszöböli a soros flash memória, EEPROM és más nem felejtő memóriák okozta bonyolult, többletterhelés és rendszerszintű megbízhatósági problémákat.A soros flash Memóriától És az EEPROM-tól Eltérően buszsebességgel végzi az írási műveleteket. Az adatok közvetlenül az után kerülnek a tárolótömbre, hogy minden bájt sikeresen átkerült az eszközre. A következő busz ciklus adatlekérdezés nélkül is elkezdődhet. A többi nem felejtő memóriához képest jelentős írási tartósság. Képes 1015 olvasási/írási ciklus vagy 1000 millió hosszabb írási ciklus támogatására, mint az EEPROM. Ideális nem felejtő memóriaalkalmazásokhoz, amelyek gyakori vagy Rapid írást igényelnek. Jelentős előnyöket biztosít a soros EEPROM vagy flash felhasználói számára, mint a hardver leesése a cserében.