FRAM memória CY15B004Q-SXE, Soros SPI 4kbit, 512K x 8 bit, 8-tüskés, SOIC

A ferroelektromos véletlen hozzáférésű memória vagy az F-RAM nem felejtő, és az RAM-hoz hasonló olvasásokat és írásokat végez. 121 évig megbízható adatmegőrzést biztosít, miközben kiküszöböli a soros flash memória, EEPROM és más nem felejtő memóriák okozta bonyolult, általános és rendszerszintű megbízhatósági problémákat. A soros flash memóriától és az EEPROM-tól eltérően a CY15B004Q buszsebességgel végzi az írási műveleteket. Nincs írási késedelem. Az adatok közvetlenül az után kerülnek a tárolótömbre, hogy minden bájt sikeresen átkerült az eszközre. A következő busz ciklus adatlekérdezés nélkül is elkezdődhet. Emellett a termék jelentős írási tartósságát is biztosítja. A CY15B004Q 1013 olvasási/írási ciklust, vagy 10 milliószor több írási ciklust képes támogatni, mint az EEPROM. Ezek a funkciók ideálissá teszik a CY15B004Q-t a gyakori vagy Rapid írást igénylő nem felejtő memóriaalkalmazások számára. A példák az adatgyűjtéstől kezdve, ahol az írási ciklusok száma kritikus lehet, egészen az igényes ipari ellenőrzokig terjednek, ahol a soros flash memória vagy EEPROM hosszú írási ideje adatvesztést okozhat.