AEC-Q100 FRAM memória CY15E016Q-SXE, Soros SPI 16kbit, 2K x 8 bit, 8-tüskés, SOIC

A ferroelektromos véletlen hozzáférésű memória vagy az F-RAM nem felejtő, és az RAM-hoz hasonló olvasásokat és írásokat végez. 121 évig megbízható adatmegőrzést biztosít, miközben kiküszöböli a soros flash memória, EEPROM és más nem felejtő memóriák okozta bonyolult, általános és rendszerszintű megbízhatósági problémákat. A soros flash memóriától és az EEPROM-tól eltérően a CY15E016Q buszsebességgel hajtja végre az írási műveleteket. Nincs írási késedelem. Az adatok közvetlenül az után kerülnek a tárolótömbre, hogy minden bájt sikeresen átkerült az eszközre. A következő busz ciklus adatlekérdezés nélkül is elkezdődhet. Emellett a termék a többi nem felejtő memóriához képest jelentős írási tartóssága van. A CY15E016Q 1013 olvasási/írási ciklust, vagy 10 milliószor több írási ciklust képes támogatni, mint az EEPROM. Ezek a funkciók ideálissá teszik a CY15E016Q-t a gyakori vagy Rapid írást igénylő nem felejtő memóriaalkalmazások számára.