Infineon IHW40N60RFFKSA1 IGBT N-csatornás, 80 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres

Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 600-as és 650V-os kollektorfeszültségszintekkel, TrenchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.

• A Kollektor feszültsége 600 és 650 V között van
Igen alacsony VCéni
• Gyenge a kikapcsolódási veszteség
• Rövid hátsó áramerősség
• Alacsony EMI
• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C

IGBT diszkrét és Infineon

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.