onsemi FGA30N120FTDTU IGBT N-csatornás, 60 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-3PN Egyszeres
- RS raktári szám:
- 145-4446
- Gyártó cikkszáma:
- FGA30N120FTDTU
- Gyártó:
- ON Semiconductor
Megszüntetett termék
- RS raktári szám:
- 145-4446
- Gyártó cikkszáma:
- FGA30N120FTDTU
- Gyártó:
- ON Semiconductor
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Diszkrét IGBT-k, 1000 V-os és efölötti Fairchild Semiconductor
IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Maximális folyamatos kollektoráram | 60 A |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség | 1200 V |
| Maximális kapu kibocsátó feszültség | ±25V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 339 W |
| Csomag típusa | TO-3PN |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt |
| Csatorna típusa | N |
| Tüskék száma | 3 |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Méret | 15.8 x 5 x 20.1mm |
| Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
| Min. működési hőmérséklet | -55 °C |
- RS raktári szám:
- 145-4446
- Gyártó cikkszáma:
- FGA30N120FTDTU
- Gyártó:
- ON Semiconductor