Infineon SGP02N120XKSA1 IGBT N-csatornás, 2 A, 1200 V, 1MHz, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres

  • RS raktári szám 145-9235
  • Gyártó cikkszáma SGP02N120XKSA1
  • Gyártó Infineon
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
RoHS követelményeknek megfelelő
Származási ország (Country of Origin): MY
Termékadatok

Infineon diszkrét IGBT tranziszt

Az Infineon diszkrét IGBT tranzisztorai különböző technológiákat kínálnak, mint például az NPT, Trenchstop™ és Fieldstop. Számos olyan alkalmazásban használhatók, ahol szükség lehet kemény vagy puha kapcsolásra, például Ipari meghajtók, szünetmentes tápegységek, Inverterek, otthoni készülékek és Indukciós főzés. Bizonyos eszközök egy párhuzamos diódát vagy egy monolitikus integrált diódát tartalmaznak.

IGBT diszkrét és Infineon

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Jellemzők
Tulajdonság Érték
Maximális folyamatos kollektoráram 2 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség 1200 V
Maximális kapu kibocsátó feszültség ±20V
Maximális teljesítménydisszipáció 62 W
Csomag típusa TO-220
Rögzítés típusa Furatszerelt
Csatorna típusa N
Tüskék száma 3
Kapcsolási sebesség 1MHz
Tranzisztorkonfiguráció Egyszeres
Hossz 8.5mm
Szélesség 4.4mm
Magasság 9.25mm
Méret 8.5 x 4.4 x 9.25mm
Min. működési hőmérséklet -55 °C
Maximális működési hőmérséklet +150 °C
250 Raktáron van 2 munkanapon belüli szállításra
Ár Darab (egy rudon 50)
493 Ft
(ÁFA nélkül)
626 Ft
(ÁFÁ-val)
egység
Per unit
csövenként*
50 +
493 Ft
24 630 Ft
*ár
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.