onsemi FGH60N60SMD_F085 IGBT N-csatornás, 120 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres

A Fairchild Semiconductor Field Stop Feszültségárok IGBT-i választéka, amelyet teszteltek és megfeleltek az AEC-Q101 szabványnak.

• Pozitív temperature együttese az egyszerű párhuzamos működtetéshez
• Nagy áramfogyasztású rendszerek
• Alacsony szaturációs feszültség
• Nagy bemeneti impedancia
• Megszorított paramétereloszlás

864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A-247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A ÉS247 KÖZÖTT
135-8687 FGB40T65EPD_F085 IGBT 650V 40A -263
135-8663 FGB40T65EPD_F085 IGBT 650V 40A -263 (800 DARABOS CSOMAG)
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A-247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A-247 (30-AS CSOMAG)

A megadott névleges áramerősség akkor érvényes, ha a csatlakozási hőmérséklet Tc = +100°C.

AEC-Q101

IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.