Infineon IHW20N120R3FKSA1 IGBT N-csatornás, 40 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres

  • RS raktári szám 166-0961
  • Gyártó cikkszáma IHW20N120R3FKSA1
  • Gyártó Infineon
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
RoHS követelményeknek megfelelő
Származási ország (Country of Origin): MY
Termékadatok

Az Infineon TranchStop IGBT tranzisztorok, 1100 és 1600 V között

Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 1100 és 1600 V közötti feszültségszintű kollektorral TranchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.

• A Kollektor feszültségtartománya 1100 és 1600 V között
Igen alacsony VCéni
• Gyenge a kikapcsolódási veszteség
• Rövid hátsó áramerősség
• Alacsony EMI
• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C

IGBT diszkrét és Infineon

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Jellemzők
Tulajdonság Érték
Maximális folyamatos kollektoráram 40 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség 1200 V
Maximális kapu kibocsátó feszültség ±20V
Maximális teljesítménydisszipáció 310 W
Csomag típusa TO-247
Rögzítés típusa Furatszerelt
Csatorna típusa N
Tüskék száma 3
Tranzisztorkonfiguráció Egyszeres
Hossz 16.13mm
Szélesség 5.21mm
Magasság 21.1mm
Méret 16.13 x 5.21 x 21.1mm
Energiabesorolás 1.65mJ
Maximális működési hőmérséklet +175 °C
Kapukapacitás 1503pF
Min. működési hőmérséklet -40 °C
450 Raktáron van 2 munkanapon belüli szállításra
Ár Darab (egy rudon 30)
1 022 Ft
(ÁFA nélkül)
1 297 Ft
(ÁFÁ-val)
egység
Per unit
csövenként*
30 +
1 022 Ft
30 648 Ft
*ár
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.