- RS raktári szám:
- 168-4761
- Gyártó cikkszáma:
- IXDN55N120D1
- Gyártó:
- IXYS
Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2024.12.12. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.
Ár Darab (egy rudon 10)
12 536 Ft
(ÁFA nélkül)
15 921 Ft
(ÁFÁ-val)
egység | Per unit | csövenként* |
10 + | 12 536 Ft | 125 362 Ft |
*ár |
- RS raktári szám:
- 168-4761
- Gyártó cikkszáma:
- IXDN55N120D1
- Gyártó:
- IXYS
Engedélyezés és megfelelőség
- Származási ország (Country of Origin):
- US
Termékadatok
IGBT diszkrét, IXYS
IGBT diszkrét és modulok, IXYS
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
---|---|
Maximális folyamatos kollektoráram | 100 A |
Maximális kollektor kibocsátó feszültség | 1200 V |
Maximális kapu kibocsátó feszültség | ±20V |
Maximális teljesítménydisszipáció | 450 W |
Csomag típusa | SOT-227B |
Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
Csatorna típusa | N |
Tüskék száma | 4 |
Kapcsolási sebesség | 1MHz |
Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
Méret | 38.2 x 25.07 x 9.6mm |
Min. működési hőmérséklet | -40 °C |
Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |