STMicroelectronics STGW30V60DF IGBT N-csatornás, 30 A, 600 V, 1MHz, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres

Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
RoHS követelményeknek megfelelő
Származási ország (Country of Origin): CN
Termékadatok

IGBT diszkrét, STMicroelectronics

IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Jellemzők
Tulajdonság Érték
Maximális folyamatos kollektoráram 30 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség 600 V
Maximális kapu kibocsátó feszültség ±20V
Maximális teljesítménydisszipáció 258 W
Csomag típusa TO-247
Rögzítés típusa Furatszerelt
Csatorna típusa N
Tüskék száma 3
Kapcsolási sebesség 1MHz
Tranzisztorkonfiguráció Egyszeres
Hossz 15.75mm
Szélesség 5.15mm
Magasság 20.15mm
Méret 15.75 x 5.15 x 20.15mm
Min. működési hőmérséklet -55 °C
Maximális működési hőmérséklet +175 °C
720 Raktáron van 2 munkanapon belüli szállításra
Ár Darab (egy rudon 30)
879 Ft
(ÁFA nélkül)
1 117 Ft
(ÁFÁ-val)
egység
Per unit
csövenként*
30 - 270
879 Ft
26 382 Ft
300 +
719 Ft
21 564 Ft
*ár
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.