onsemi FGY75N60SMD IGBT N-csatornás, 150 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres
- RS raktári szám:
- 759-9302
- Gyártó cikkszáma:
- FGY75N60SMD
- Gyártó:
- onsemi
Megszüntetett termék
- RS raktári szám:
- 759-9302
- Gyártó cikkszáma:
- FGY75N60SMD
- Gyártó:
- onsemi
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Diszkrét IGBT-k Fairchild Semiconductor
IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Maximális folyamatos kollektoráram | 150 A |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség | 600 V |
| Maximális kapu kibocsátó feszültség | ±20V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 750 W |
| Csomag típusa | TO-247 |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt |
| Csatorna típusa | N |
| Tüskék száma | 3 |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Méret | 15.87 x 4.82 x 20.32mm |
| Maximális működési hőmérséklet | +175 °C |
| Min. működési hőmérséklet | -55 °C |
- RS raktári szám:
- 759-9302
- Gyártó cikkszáma:
- FGY75N60SMD
- Gyártó:
- onsemi