Toshiba GT50JR22 IGBT N-csatornás, 50 A, 600 V, 1MHz, 3-tüskés, TO-3P Egyszeres
- RS raktári szám:
- 796-5064
- Gyártó cikkszáma:
- GT50JR22
- Gyártó:
- Toshiba
8 raktáron van a következő munkanapon való szállításra, ha a megrendelést 16:00 óra előtt feladják.
93 további szállítása 1 munkanapon belül.
Hozzáadva
Ár Darab
2 001 Ft
(ÁFA nélkül)
2 541 Ft
(ÁFÁ-val)
| Egység | Per unit |
| 1 - 9 | 2 001 Ft |
| 10 - 49 | 1 268 Ft |
| 50 - 124 | 1 236 Ft |
| 125 - 249 | 1 225 Ft |
| 250 + | 1 197 Ft |
- RS raktári szám:
- 796-5064
- Gyártó cikkszáma:
- GT50JR22
- Gyártó:
- Toshiba
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
IGBT diszkrét Toshiba
IGBT diszkrét modulok és modulok, Toshiba
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Maximális folyamatos kollektoráram | 50 A |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség | 600 V |
| Maximális kapu kibocsátó feszültség | ±25V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 230 W |
| Csomag típusa | TO-3P |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt |
| Csatorna típusa | N |
| Tüskék száma | 3 |
| Kapcsolási sebesség | 1MHz |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Méret | 15.5 x 4.5 x 20mm |
| Maximális működési hőmérséklet | +175 °C |
- RS raktári szám:
- 796-5064
- Gyártó cikkszáma:
- GT50JR22
- Gyártó:
- Toshiba