Toshiba GT50JR22 IGBT N-csatornás, 50 A, 600 V, 1MHz, 3-tüskés, TO-3P Egyszeres

  • RS raktári szám 796-5064
  • Gyártó cikkszáma GT50JR22
  • Gyártó Toshiba
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
RoHS követelményeknek megfelelő
Termékadatok

IGBT diszkrét Toshiba

IGBT diszkrét modulok és modulok, Toshiba

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Jellemzők
Tulajdonság Érték
Maximális folyamatos kollektoráram 50 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség 600 V
Maximális kapu kibocsátó feszültség ±25V
Maximális teljesítménydisszipáció 230 W
Csomag típusa TO-3P
Rögzítés típusa Furatszerelt
Csatorna típusa N
Tüskék száma 3
Kapcsolási sebesség 1MHz
Tranzisztorkonfiguráció Egyszeres
Hossz 15.5mm
Szélesség 4.5mm
Magasság 20mm
Méret 15.5 x 4.5 x 20mm
Maximális működési hőmérséklet +175 °C
28 Raktáron van a következő munkanapon való szállításra, ha a megrendelést 16:00 előtt feladják
127 darab csak 1 munkanapon belül válik szállíthatóvá (EU raktárkészlet)
Ár Darab
1 496 Ft
(ÁFA nélkül)
1 900 Ft
(ÁFÁ-val)
egység
Per unit
1 - 9
1 496 Ft
10 - 49
1 225 Ft
50 - 99
1 124 Ft
100 - 199
1 049 Ft
200 +
1 022 Ft
Csomagolás típusa: