Infineon SGP02N120XKSA1 IGBT N-csatornás, 2 A, 1200 V, 1MHz, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres

Az Infineon diszkrét IGBT tranzisztorai különböző technológiákat kínálnak, mint például az NPT, Trenchstop™ és Fieldstop. Számos olyan alkalmazásban használhatók, ahol szükség lehet kemény vagy puha kapcsolásra, például Ipari meghajtók, szünetmentes tápegységek, Inverterek, otthoni készülékek és Indukciós főzés. Bizonyos eszközök egy párhuzamos diódát vagy egy monolitikus integrált diódát tartalmaznak.

IGBT diszkrét és Infineon

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.