onsemi NGTB35N65FL2WG IGBT N-csatornás, 70 A, 650 V, 1MHz, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres

RS raktári szám:: 842-7898
Gyártó cikkszáma:: NGTB35N65FL2WG
Gyártó:: onsemi

onsemi NGTB35N65FL2WG IGBT N-csatornás, 70 A, 650 V, 1MHz, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres

Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2025.07.03. A szállítás 1 munkanapot vesz igénybe.

Hozzáadva

Ár Darab (2 darabos csomagbol)

1 878 Ft

(ÁFA nélkül)

2 385 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Per unit	csomagonként*
2 - 8	1 878 Ft	3 756 Ft
10 - 98	1 597 Ft	3 194 Ft
100 - 248	1 272 Ft	2 543 Ft
250 - 498	1 205 Ft	2 410 Ft
500 +	1 137 Ft	2 274 Ft
*ár

RS raktári szám:: 842-7898
Gyártó cikkszáma:: NGTB35N65FL2WG
Gyártó:: onsemi

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

On Semiconductor IGBT diszkrét

Szigetelt Gate bipoláris tranzisztorok (IGBT) motormeghajtókhoz és egyéb nagy áramerősségű kapcsolási alkalmazásokhoz.

On Semiconductor IGBT diszkrét

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Maximális folyamatos kollektoráram	70 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség	650 V
Maximális kapu kibocsátó feszültség	±20V
Maximális teljesítménydisszipáció	300 W
Csomag típusa	TO-247
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Csatorna típusa	N
Tüskék száma	3
Kapcsolási sebesség	1MHz
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Méret	16.26 x 5.3 x 21.08mm
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Min. működési hőmérséklet	-55 °C

RS raktári szám:: 842-7898
Gyártó cikkszáma:: NGTB35N65FL2WG
Gyártó:: onsemi