onsemi FGH30S130P IGBT N-csatornás, 60 A, 1300 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres

A ON Semiconductor FGH30S130P egy 1300 V-os, 30A-os IGBT, zárlatos anóddal és mezőleállító modellekkel. A lágy kapcsolási alkalmazások ideálisak az FGH30S130P-hez hatékony vezetés és nagy kapcsolási teljesítmény jellemzők mellett. Az FGH30S130P IGBT párhuzamosan tud dolgozni, és kiváló lavinaképességeket nyújt.
Az FGH30S130P IGBT készüléket indukciós fűtéshez, mikrohullámú sütőkhöz és egyéb háztartási készülékekhez tervezték.

• TO-247 csomag
• Nagy sebességű kapcsolás
• Kiváló vezetés
• Alacsony szaturációs feszültség
• Nagy bemeneti impedancia

Elérhető változatok:
864-8849 - 2 db-os csomag
166-3300 - 30-as cső

IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.