Toshiba GT40WR21,Q(O IGBT N-csatornás, 40 A, 1800 V, 1.8MHz, 3-tüskés, TO-3P Egyszeres
- RS raktári szám:
- 891-2746
- Gyártó cikkszáma:
- GT40WR21,Q(O
- Gyártó:
- Toshiba
Megszüntetett termék
- RS raktári szám:
- 891-2746
- Gyártó cikkszáma:
- GT40WR21,Q(O
- Gyártó:
- Toshiba
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
- Származási ország (Country of Origin):
- JP
Termékadatok
IGBT diszkrét Toshiba
IGBT diszkrét modulok és modulok, Toshiba
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Maximális folyamatos kollektoráram | 40 A |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség | 1800 V |
| Maximális kapu kibocsátó feszültség | ±25V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 375 W |
| Csomag típusa | TO-3P |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt |
| Csatorna típusa | N |
| Tüskék száma | 3 |
| Kapcsolási sebesség | 1.8MHz |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Méret | 15.5 x 4.5 x 20mm |
| Kapukapacitás | 4500pF |
| Maximális működési hőmérséklet | 175 °C |
- RS raktári szám:
- 891-2746
- Gyártó cikkszáma:
- GT40WR21,Q(O
- Gyártó:
- Toshiba