Fuji Electric 6MBI50U4A-120-50 IGBT-modul, N-csatornás, 3 fázisú híd, 50 A, 1200 V, 28-tüskés, M636 3 fázisú

  • RS raktári szám 168-4535
  • Gyártó cikkszáma 6MBI50U4A-120-50
  • Gyártó Fuji Electric
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
RoHS követelményeknek megfelelő
Származási ország (Country of Origin): JP
Termékadatok

IGBT modulok 6 Pack, Fuji Electric

V sorozat, 6. Generációs fix-állólámpa
U/U4 sorozat, 5. Generációs fix
S-sorozat, 4. Generációs NPT

Megjegyzés

A modulon belül egy tranzisztoron belül a maximális kollektoráram (Ic) értékek vannak megadva.

IGBT diszkrét és Fuji Electric

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Jellemzők
Tulajdonság Érték
Tranzisztorkonfiguráció 3 fázisú
Kiosztás 3 fázisú híd
Maximális folyamatos kollektoráram 50 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség 1200 V
Maximális kapu kibocsátó feszültség ±20V
Csatorna típusa N
Rögzítés típusa Nyomtatott áramkörre szerelhető
Csomag típusa M636
Tüskék száma 28
Maximális teljesítménydisszipáció 275 W
Méret 107.5 x 45 x 17mm
Magasság 17mm
Hossz 107.5mm
Maximális működési hőmérséklet +150 °C
Szélesség 45mm
Megszüntetett termék