AEC-Q100 MOSFET kapu meghajtó Si8275DBD-IS1 TTL, 1.8 A, 4 A, 5.5V, 16-tüskés, SOIC

A Si8275DBD-IS1 eszközök a VIA, VIB bemenetekhez és kettős Meghajtó illesztőprogramhoz nyújtanak opciókat. A Si8275DBD-IS1 nagy teljesítményű zajvédettségének köszönhetően kiküszöböli a faster kapcsolási sebességek okozta kockázatot. A faster kapcsolás által keltett magas zajártalom nem befolyásolja a vezető által kibocsátott jel integritását, így kiküszöböli a moduláció elvesztésének kockázatát. A rendkívül magas, 400 kV/μs-os zárkioldási specifikáció rendkívül robusztus Si8275DBD-IS1 eszközöket tesz lehetővé, megakadályozza az állandó zárkárosodást, és UVLO hibavédelemmel, hangos bemenetek szűrésére szolgáló, viszketeges áramkörrel és rendkívül pontos halott idő (DT-PIN) programozással rendelkezik. Ezzel a funkcióval a felhasználók pontosan szabályozhatják a két meghajtó közötti „holtidőt” a rendszer hatékonyságának és biztonságának optimalizálása érdekében. A meghajtók 2.5 V - 5.5 V bemeneti VDD feszültséggel és 30 V maximális meghajtó tápfeszültséggel működnek