MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si
- RS raktári szám:
- 194-568
- Gyártó cikkszáma:
- IXFN64N50P
- Gyártó:
- IXYS
4 raktáron van a következő munkanapon való szállításra, ha a megrendelést 16:00 óra előtt feladják.
5 további szállítása 1 munkanapon belül.
Hozzáadva
Ár Darab
10 624 Ft
(ÁFA nélkül)
13 492 Ft
(ÁFÁ-val)
| Egység | Per unit |
| 1 - 4 | 10 624 Ft |
| 5 + | 9 165 Ft |
- RS raktári szám:
- 194-568
- Gyártó cikkszáma:
- IXFN64N50P
- Gyártó:
- IXYS
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat
N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
MOSFET tranzisztorok, IXYS
Advanced Power MOSFET eszközök széles választéka az IXYS számítógépektől
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Csatorna típusa | N |
| Maximális folyamatos nyelőáram | 61 A |
| Maximális nyelő forrásfeszültség | 500 V |
| Csomag típusa | SOT-227 |
| Sorozat | HiperFET, Polar |
| Rögzítés típusa | Csavaros rögzítés |
| Tüskék száma | 4 |
| Maximális nyelő forrásellenállás | 85 mΩ |
| Csatorna mód | Növekményes |
| Maximális kapu küszöbfeszültség | 5.5V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 700 W |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Maximális kapu forrásfeszültség | -30 V, +30 V |
| Hossz | 38.23mm |
| Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
| Elemek száma chipenként | 1 |
| Szélesség | 25.42mm |
| Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 150 nC 10 V esetén |
| Tranzisztor anyaga | Si |
| Magasság | 9.6mm |
| Min. működési hőmérséklet | -55 °C |
- RS raktári szám:
- 194-568
- Gyártó cikkszáma:
- IXFN64N50P
- Gyártó:
- IXYS