- RS raktári szám:
- 841-312
- Gyártó cikkszáma:
- RFP70N06
- Gyártó:
- onsemi
- RS raktári szám:
- 841-312
- Gyártó cikkszáma:
- RFP70N06
- Gyártó:
- onsemi
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor
Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MOS technológiával történik. Ezt a nagy sűrűségű eljárást úgy tervezték, hogy a lehető legkisebb legyen az állapot ellenállása, továbbá robusztus és megbízható teljesítményt és gyors kapcsolást biztosítson.
MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS
A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
---|---|
Csatorna típusa | N |
Maximális folyamatos nyelőáram | 70 A |
Maximális nyelő forrásfeszültség | 60 V |
Csomag típusa | TO-220AB |
Rögzítés típusa | Furatszerelt |
Tüskék száma | 3 |
Maximális nyelő forrásellenállás | 14 mΩ |
Csatorna mód | Növekményes |
Minimális kapu küszöbfeszültség | 2V |
Maximális teljesítménydisszipáció | 150 W |
Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
Maximális kapu forrásfeszültség | -20 V, +20 V |
Szélesség | 4.83mm |
Hossz | 10.67mm |
Tranzisztor anyaga | Si |
Maximális működési hőmérséklet | +175 °C |
Elemek száma chipenként | 1 |
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 20 V esetén 120 nC |
Magasság | 9.4mm |
Min. működési hőmérséklet | -55 °C |