MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC

RS raktári szám:: 145-0971
Gyártó cikkszáma:: C2M0280120D
Gyártó:: Wolfspeed

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC

Kategória megtekintése

Megszüntetett termék

RS raktári szám:: 145-0971
Gyártó cikkszáma:: C2M0280120D
Gyártó:: Wolfspeed

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Származási ország (Country of Origin):: CN

Termékadatok

Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ és C3M™ Szilícium-Carbide teljesítmény MOSFET-ek. A második generációs SIC MOSFET-ek széles választéka a Cree teljesítménytérítő Wolfspeed cégtől, amely az ágazatban kiemelkedő teljesítménysűrűséget és kapcsolási hatékonyságot biztosít. Ezek a kis kapacitású készülékek magasabb kapcsolási frekvenciákat tesznek lehetővé, és csökkentik a hűtési igényt, ami javítja a rendszer általános működési hatékonyságát.

• Kiemelés-mód N-csatornás SIC technológia
• Nagy teljesítmény, forrásonkénti meghibásodás - max. 1200 V
• Többféle eszköz könnyen párhuzamos és könnyen kezelhető
• Nagy sebességű kapcsolás, kis ellenállású
• Ütközésálló működés

MOSFET tranzisztorok Wolfspeed

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	10 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	1200 V
Csomag típusa	TO-247
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	370 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség	2V
Maximális teljesítménydisszipáció	62,5 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	+25 V
Elemek száma chipenként	1
Szélesség	21.1mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	20,4 nC 20 V esetén
Hossz	16.13mm
Tranzisztor anyaga	SiC
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Magasság	5.21mm
Nyitóirányú diódafeszültség	3.3V
Min. működési hőmérséklet	-55 °C

RS raktári szám:: 145-0971
Gyártó cikkszáma:: C2M0280120D
Gyártó:: Wolfspeed