MOSFET, 1 elem/chip, 330 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 SIPMOS Egyszeres Si

RS raktári szám:: 145-8801
Gyártó cikkszáma:: BSS83PH6327XTSA1
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 330 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 SIPMOS Egyszeres Si

Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2025.02.17. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Hozzáadva

Ár Darab (3000 egy tekercsen)

35 Ft

(ÁFA nélkül)

45 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Per unit	orsónként*
3000 - 3000	35 Ft	105 900 Ft
6000 - 12000	34 Ft	100 500 Ft
15000 +	31 Ft	94 200 Ft
*ár

RS raktári szám:: 145-8801
Gyártó cikkszáma:: BSS83PH6327XTSA1
Gyártó:: Infineon

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Infineon SIGMOS® P-Channel MOSFET-ek

Az Infineon SIPMOS^® kis Jel P- csatorna MOSFET-ek számos olyan funkciót kínálnak, amelyek között szerepelhet a kontrasztnövelés mód, a folyamatos lefolyó áram akár -80A, valamint a széles üzemi hőmérséklet-tartomány. A SIPMOS tranzisztor különböző alkalmazásokban használható, mint például a Telecom, eMobility, Notebook, DC/DC eszközök, valamint a gépjárműipar.

· AEC Q101 Minősített (kérjük, olvassa el az adatlapot)
· Pb-mentes ólom bevonat, RoHS-kompatibilis

MOSFET tranzisztorok Infineon

Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	P
Maximális folyamatos nyelőáram	330 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség	60 V
Csomag típusa	SOT-23
Sorozat	SIPMOS
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	3 Ω
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	2V
Minimális kapu küszöbfeszültség	1V
Maximális teljesítménydisszipáció	360 mW
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Szélesség	1.3mm
Elemek száma chipenként	1
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	2,38 nC 10 V esetén
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Tranzisztor anyaga	Si
Hossz	2.9mm
Magasság	1mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C

RS raktári szám:: 145-8801
Gyártó cikkszáma:: BSS83PH6327XTSA1
Gyártó:: Infineon