MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si

Megszüntetett termék

Műszaki referencia

Ezek az alacsony feszültségű (LV) MOSFET alacsony kapcsolóállással és gyors kapcsolási teljesítménnyel rendelkeznek.

MOSFET tranzisztorok, MagnaChip

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	19 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	30 V
Csomag típusa	SOIC
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	8
Maximális nyelő forrásellenállás	11.7 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	2.7V
Maximális teljesítménydisszipáció	5,3 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Elemek száma chipenként	1
Szélesség	3.9mm
Hossz	4.9mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Tranzisztor anyaga	Si
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	10 V esetén 16,2 nC
Magasság	1.5mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Nyitóirányú diódafeszültség	1.1V