MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 30 V, 8-tüskés, PowerDFN56 Egyszeres Si

Megszüntetett termék

Műszaki referencia

Ezek az alacsony feszültségű (LV) MOSFET alacsony kapcsolóállással és gyors kapcsolási teljesítménnyel rendelkeznek.

MOSFET tranzisztorok, MagnaChip

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	47 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	30 V
Csomag típusa	PowerDFN56
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	8
Maximális nyelő forrásellenállás	14 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	2.7V
Maximális teljesítménydisszipáció	35,7 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Elemek száma chipenként	1
Szélesség	5.1mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	14,6 nC 10 V esetén
Hossz	6.1mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Tranzisztor anyaga	Si
Magasság	1.1mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Nyitóirányú diódafeszültség	1.1V