MOSFET, 1 elem/chip, 16,2 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres
- RS raktári szám:
- 188-4940
- Gyártó cikkszáma:
- SISS73DN-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay
5960 Raktáron van 1 munkanapon belüli szállításra.
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Hozzáadva
Ár Darab (10 darabos csomagbol)
512 Ft
(ÁFA nélkül)
650 Ft
(ÁFÁ-val)
| Egység | Per unit | csomagonként* |
| 10 - 90 | 512 Ft | 5 121 Ft |
| 100 - 240 | 486 Ft | 4 863 Ft |
| 250 - 490 | 410 Ft | 4 099 Ft |
| 500 - 990 | 333 Ft | 3 327 Ft |
| 1000 + | 257 Ft | 2 566 Ft |
| *ár | ||
- RS raktári szám:
- 188-4940
- Gyártó cikkszáma:
- SISS73DN-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
P-csatornás 150 V (D-S) MOSFET.
TrentchFET® ThunFET technológiával
A nagyon alacsony RDS(on) funkció csökkenti a vezetőképesség elvesztésének esélyét
A nagyon alacsony RDS(on) funkció csökkenti a vezetőképesség elvesztésének esélyét
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Csatorna típusa | P |
| Maximális folyamatos nyelőáram | 16,2 A |
| Maximális nyelő forrásfeszültség | 150 V |
| Csomag típusa | PowerPAK 1212-8S |
| Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
| Tüskék száma | 8 |
| Maximális nyelő forrásellenállás | 125 mΩ |
| Csatorna mód | Növekményes |
| Maximális kapu küszöbfeszültség | 4V |
| Minimális kapu küszöbfeszültség | 2V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 65,8 W |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Maximális kapu forrásfeszültség | ±20 V |
| Hossz | 3.3mm |
| Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
| Szélesség | 3.3mm |
| Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 14,6 nC 10 V esetén |
| Elemek száma chipenként | 1 |
| Nyitóirányú diódafeszültség | 1.2V |
| Min. működési hőmérséklet | -55 °C |
| Magasság | 0.78mm |