MOSFET, 1 elem/chip, 111.9 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres
- RS raktári szám:
- 188-5117
- Gyártó cikkszáma:
- SiSS61DN-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay
Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2024.09.13. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Hozzáadva
Ár Darab (10 darabos csomagbol)
325 Ft
(ÁFA nélkül)
413 Ft
(ÁFÁ-val)
| Egység | Per unit | csomagonként* |
| 10 - 90 | 325 Ft | 3 249 Ft |
| 100 - 240 | 309 Ft | 3 085 Ft |
| 250 - 490 | 234 Ft | 2 336 Ft |
| 500 - 990 | 211 Ft | 2 110 Ft |
| 1000 + | 195 Ft | 1 946 Ft |
| *ár | ||
- RS raktári szám:
- 188-5117
- Gyártó cikkszáma:
- SiSS61DN-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
P-csatornás 20 V-os (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET
Vezető szerep az RDS(on) kompakt kialakításban és a hőszabályozásban továbbfejlesztett csomagban
Vezető szerep az RDS(on) kompakt kialakításban és a hőszabályozásban továbbfejlesztett csomagban
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Csatorna típusa | P |
| Maximális folyamatos nyelőáram | 111.9 A |
| Maximális nyelő forrásfeszültség | 20 V |
| Csomag típusa | PowerPAK 1212-8S |
| Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
| Tüskék száma | 8 |
| Maximális nyelő forrásellenállás | 9,8 mΩ |
| Csatorna mód | Növekményes |
| Maximális kapu küszöbfeszültség | 0.9V |
| Minimális kapu küszöbfeszültség | 0.4V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 65,8 W |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Maximális kapu forrásfeszültség | ±8 V |
| Elemek száma chipenként | 1 |
| Szélesség | 3.3mm |
| Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
| Hossz | 3.3mm |
| Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 154 nC 10 V-os feszültségen |
| Min. működési hőmérséklet | -55 °C |
| Nyitóirányú diódafeszültség | 1.2V |
| Magasság | 0.78mm |