- RS raktári szám:
- 671-5045
- Gyártó cikkszáma:
- FQP17P06
- Gyártó:
- onsemi
Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2024.08.02. A szállítás 1 munkanapot vesz igénybe.
Ár Darab (5 darabos csomagbol)
679 Ft
(ÁFA nélkül)
862 Ft
(ÁFÁ-val)
egység | Per unit | csomagonként* |
5 - 5 | 679 Ft | 3 393 Ft |
10 - 95 | 544 Ft | 2 718 Ft |
100 - 495 | 431 Ft | 2 153 Ft |
500 - 995 | 364 Ft | 1 821 Ft |
1000 + | 296 Ft | 1 478 Ft |
*ár |
- RS raktári szám:
- 671-5045
- Gyártó cikkszáma:
- FQP17P06
- Gyártó:
- onsemi
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor
A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesítmény eléréséhez, amely a tápegységek széles köréhez, a PFC (teljesítménytényező-korrekció), DC-DC átalakítók, a plazmatelépítők (PDP), a világítás és a mozgásvezérlés révén érhető el.
Alacsonyabb be- és kikapcsolódási veszteséget kínálnak, mivel csökkentik az ellenállást (RDS(on))), valamint csökkentik a kapcsolóveszteséget a kapuköltségek (Qg) és a kimeneti kapacitás (Coss) csökkentésével. A Advanced QFET® process technológiával a Fairchild nagyobb érdemeket (FOM) kínál a konkurens síkú MOSFET eszközökhöz képest.
Alacsonyabb be- és kikapcsolódási veszteséget kínálnak, mivel csökkentik az ellenállást (RDS(on))), valamint csökkentik a kapcsolóveszteséget a kapuköltségek (Qg) és a kimeneti kapacitás (Coss) csökkentésével. A Advanced QFET® process technológiával a Fairchild nagyobb érdemeket (FOM) kínál a konkurens síkú MOSFET eszközökhöz képest.
MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS
A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
---|---|
Csatorna típusa | P |
Maximális folyamatos nyelőáram | 17 A |
Maximális nyelő forrásfeszültség | 60 V |
Csomag típusa | TO-220AB |
Rögzítés típusa | Furatszerelt |
Tüskék száma | 3 |
Maximális nyelő forrásellenállás | 120 mΩ |
Csatorna mód | Növekményes |
Minimális kapu küszöbfeszültség | 2V |
Maximális teljesítménydisszipáció | 79 W |
Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
Maximális kapu forrásfeszültség | -25 V, +25 V |
Szélesség | 4.7mm |
Hossz | 10.1mm |
Elemek száma chipenként | 1 |
Maximális működési hőmérséklet | +175 °C |
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 21 nC 10 V esetén |
Tranzisztor anyaga | Si |
Magasság | 9.4mm |
Sorozat | QFET |
Min. működési hőmérséklet | -55 °C |