MOSFET, 1 elem/chip, 195 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB StrongIRFET Egyszeres Si
- RS raktári szám:
- 820-8833
- Gyártó cikkszáma:
- IRFB7530PBF
- Gyártó:
- Infineon
Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2024.09.18. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Hozzáadva
Ár Darab (2 darabos csomagbol)
932 Ft
(ÁFA nélkül)
1 184 Ft
(ÁFÁ-val)
| Egység | Per unit | csomagonként* |
| 2 - 18 | 932 Ft | 1 864 Ft |
| 20 - 48 | 831 Ft | 1 661 Ft |
| 50 - 98 | 782 Ft | 1 564 Ft |
| 100 - 198 | 726 Ft | 1 451 Ft |
| 200 + | 673 Ft | 1 346 Ft |
| *ár | ||
- RS raktári szám:
- 820-8833
- Gyártó cikkszáma:
- IRFB7530PBF
- Gyártó:
- Infineon
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
StrongIRFET™ Power MOSFET Infineon
Az Infineon StrongIRFET családját alacsony R DS (be) és nagy áram teljesítményre optimalizálták. A portfólió továbbfejlesztett kaputechnológiát, lavinát és dinamikus dv/dt tartósságot kínál, amely ideális az ipari alacsony frekvenciájú alkalmazásokhoz, például a motormeghajtókhoz, az erőeszközökhöz, az inverterekhez és az akkumulátorfelügyelethez, ahol a teljesítmény és a robusztusság elengedhetetlen.
MOSFET tranzisztorok Infineon
Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Csatorna típusa | N |
| Maximális folyamatos nyelőáram | 195 A |
| Maximális nyelő forrásfeszültség | 60 V |
| Csomag típusa | TO-220AB |
| Sorozat | StrongIRFET |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt |
| Tüskék száma | 3 |
| Maximális nyelő forrásellenállás | 2 mΩ |
| Csatorna mód | Növekményes |
| Maximális kapu küszöbfeszültség | 3.7V |
| Minimális kapu küszöbfeszültség | 2.1V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 375 W |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Maximális kapu forrásfeszültség | -20 V, +20 V |
| Tranzisztor anyaga | Si |
| Szélesség | 4.83mm |
| Maximális működési hőmérséklet | +175 °C |
| Elemek száma chipenként | 1 |
| Hossz | 10.67mm |
| Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 10 V esetén 274 nC |
| Magasság | 16.51mm |
| Min. működési hőmérséklet | -55 °C |