MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si

RS raktári szám:: 830-3379
Gyártó cikkszáma:: IRLR3410TRPBF
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si

100 raktáron van a következő munkanapon való szállításra, ha a megrendelést 16:00 óra előtt feladják.

60 további szállítása 1 munkanapon belül.

Hozzáadva

Ár Darab (20 darabos csomagbol)

311 Ft

(ÁFA nélkül)

395 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Per unit	csomagonként*
20 - 80	311 Ft	6 224 Ft
100 - 180	243 Ft	4 856 Ft
200 - 480	227 Ft	4 544 Ft
500 - 980	212 Ft	4 236 Ft
1000 +	196 Ft	3 924 Ft
*ár

RS raktári szám:: 830-3379
Gyártó cikkszáma:: IRLR3410TRPBF
Gyártó:: Infineon

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Származási ország (Country of Origin):: CN

Termékadatok

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény

Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

A Infineon IRLR3410 egy 100 V-os, egy N-csatornás HEXFET teljesítmény MOSFET D-Pak tokozásban. A D-PAK-t gőzfázisú, infravörös vagy hullámforrasztó technikákkal történő felületszerelésre tervezték.

Advanced Process technológia
Gyors kapcsolás
Teljesen lavina minősítésű

MOSFET tranzisztorok Infineon

Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	17 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	100 V
Sorozat	HEXFET
Csomag típusa	DPAK (TO-252)
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	155 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	2V
Minimális kapu küszöbfeszültség	1V
Maximális teljesítménydisszipáció	79 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-16 V, +16 V
Elemek száma chipenként	1
Szélesség	6.22mm
Hossz	6.73mm
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Tranzisztor anyaga	Si
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	34 nC 5 V esetén
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	2.39mm

RS raktári szám:: 830-3379
Gyártó cikkszáma:: IRLR3410TRPBF
Gyártó:: Infineon