MOSFET, 1 elem/chip, 56 A, 120 V, 3-tüskés, TO-220SIS TK Egyszeres Si

Megszüntetett termék

Műszaki referencia

Toshiba MOSFET tranzisztorok

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	56 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	120 V
Sorozat	TK
Csomag típusa	TO-220SIS
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	7.5 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	4V
Maximális teljesítménydisszipáció	45 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Tranzisztor anyaga	Si
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Hossz	10mm
Szélesség	4.5mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	69 nC 10 V esetén
Elemek száma chipenként	1
Magasság	15mm