- RS raktári szám:
- 913-4042
- Gyártó cikkszáma:
- IRLML0030TRPBF
- Gyártó:
- Infineon
9000 Raktáron van 1 munkanapon belüli szállításra.
Ár Darab (3000 egy tekercsen)
40 Ft
(ÁFA nélkül)
51 Ft
(ÁFÁ-val)
egység | Per unit | orsónként* |
3000 - 3000 | 40 Ft | 120 900 Ft |
6000 - 6000 | 38 Ft | 114 900 Ft |
9000 + | 36 Ft | 107 400 Ft |
*ár |
- RS raktári szám:
- 913-4042
- Gyártó cikkszáma:
- IRLML0030TRPBF
- Gyártó:
- Infineon
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
- Származási ország (Country of Origin):
- PH
Termékadatok
N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény
Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.
MOSFET tranzisztorok Infineon
Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
---|---|
Csatorna típusa | N |
Maximális folyamatos nyelőáram | 5,3 A |
Maximális nyelő forrásfeszültség | 30 V |
Csomag típusa | SOT-23 |
Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
Tüskék száma | 3 |
Maximális nyelő forrásellenállás | 27 mΩ |
Csatorna mód | Növekményes |
Maximális kapu küszöbfeszültség | 2.3V |
Minimális kapu küszöbfeszültség | 1.3V |
Maximális teljesítménydisszipáció | 1,3 W |
Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
Maximális kapu forrásfeszültség | -20 V, +20 V |
Szélesség | 1.4mm |
Hossz | 3.04mm |
Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
Tranzisztor anyaga | Si |
Elemek száma chipenként | 1 |
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 2,6 nC 4,5 V esetén |
Magasság | 1.02mm |
Sorozat | HEXFET |
Min. működési hőmérséklet | -55 °C |