MOSFET, 1 elem/chip, 74 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si

RS raktári szám:: 919-4772
Gyártó cikkszáma:: IRF4905PBF
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 74 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si

50 raktáron van a következő munkanapon való szállításra, ha a megrendelést 16:00 óra előtt feladják.

150 további szállítása 1 munkanapon belül.

Hozzáadva

Ár Darab (egy rudon 50)

570 Ft

(ÁFA nélkül)

724 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Per unit	csövenként*
50 - 50	570 Ft	28 500 Ft
100 - 200	542 Ft	27 080 Ft
250 - 450	519 Ft	25 935 Ft
500 - 950	485 Ft	24 225 Ft
1000 +	456 Ft	22 800 Ft
*ár

RS raktári szám:: 919-4772
Gyártó cikkszáma:: IRF4905PBF
Gyártó:: Infineon

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Származási ország (Country of Origin):: CN

Termékadatok

P-csatornás MOSFET 40 V - 55 V Infineon

Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumokat tartalmaz, amelyek képesek kielégíteni az alaplap szinte bármilyen elrendezését és a termikus tervezési kihívást. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

MOSFET tranzisztorok Infineon

Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	P
Maximális folyamatos nyelőáram	74 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	55 V
Sorozat	HEXFET
Csomag típusa	TO-220AB
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	20 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség	2V
Maximális teljesítménydisszipáció	200 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Tranzisztor anyaga	Si
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	180 nC 10 V esetén
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Elemek száma chipenként	1
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	8.77mm

RS raktári szám:: 919-4772
Gyártó cikkszáma:: IRF4905PBF
Gyártó:: Infineon