MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
- RS raktári szám:
- 919-4794
- Gyártó cikkszáma:
- IRF540NPBF
- Gyártó:
- Infineon
150 Raktáron van 1 munkanapon belüli szállításra.
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Hozzáadva
Ár Darab (egy rudon 50)
335 Ft
(ÁFA nélkül)
425 Ft
(ÁFÁ-val)
| Egység | Per unit | csövenként* |
| 50 - 50 | 335 Ft | 16 740 Ft |
| 100 - 200 | 261 Ft | 13 055 Ft |
| 250 - 450 | 244 Ft | 12 220 Ft |
| 500 - 1200 | 228 Ft | 11 385 Ft |
| 1250 + | 211 Ft | 10 545 Ft |
| *ár | ||
- RS raktári szám:
- 919-4794
- Gyártó cikkszáma:
- IRF540NPBF
- Gyártó:
- Infineon
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
- Származási ország (Country of Origin):
- MX
Termékadatok
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény
Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.
MOSFET tranzisztorok Infineon
Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Csatorna típusa | N |
| Maximális folyamatos nyelőáram | 33 A |
| Maximális nyelő forrásfeszültség | 100 V |
| Sorozat | HEXFET |
| Csomag típusa | TO-220AB |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt |
| Tüskék száma | 3 |
| Maximális nyelő forrásellenállás | 44 mΩ |
| Csatorna mód | Növekményes |
| Maximális kapu küszöbfeszültség | 4V |
| Minimális kapu küszöbfeszültség | 2V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 130 W |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Maximális kapu forrásfeszültség | -20 V, +20 V |
| Tranzisztor anyaga | Si |
| Szélesség | 4.69mm |
| Hossz | 10.54mm |
| Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 71 nC 10 V esetén |
| Elemek száma chipenként | 1 |
| Maximális működési hőmérséklet | +175 °C |
| Min. működési hőmérséklet | -55 °C |
| Magasság | 8.77mm |