Digitális tranzisztor FDG6304P, 6-tüskés

Ezeket a kettős P-Channel logic level mód mezőhatás tranzisztorokat gyártóspecifikus, nagy cellasűrűség, DMOS technológia segítségével állítják elő. Ez a nagyon nagy sűrűségű eljárás különösen úgy van kialakítva, hogy a lehető legkisebb legyen az állapot alapú rezisztencia. Ezt az eszközt kifejezetten az alacsony feszültségű alkalmazásokhoz tervezték, mint a bipoláris digitális tranzisztorok és a kis jelMOSFET-ek helyettesítéséhez.

-25 V, -0,41 A folyamatos, -1,5 A Peak.
RDS(ON) = 1,1 Ω VGS= -4,5 V MELLETT
RDS(ON) = 1,5 Ω VGS= -2,7 V MELLETT
Nagyon alacsony szintű kamraajtó meghajtás igény, ami lehetővé teszi a közvetlen működést 3 V-os áramkörökben (VGS(th)< 1,5 V).
Geát-forrásanyag ESD-zavartűrés (>6 kV-os Emberi test modell).
Kompakt, ipari szabványnak megfelelő SC70-6 felületi szerelésű csomag.
Alkalmazások
Ez a termék általános célú felhasználásra készült, és számos különböző alkalmazáshoz megfelel.