Digitális tranzisztor FDG6321C, 6-tüskés

Ezek a kettős N & P-Channel logic level mode timatation mode tender szabadalmazott, nagy sejtsűrűségű, DMOS technológiát alkalmazó tranzisztorok. Ez a nagyon nagy sűrűségű eljárás különösen úgy van kialakítva, hogy a lehető legkisebb legyen az állapot alapú rezisztencia. Ezt az eszközt kifejezetten az alacsony feszültségű alkalmazásokhoz tervezték, mint a bipoláris digitális tranzisztorok és a kis jelMOSFET-ek helyettesítéséhez. Mivel a diagonellenállások nem szükségesek, ez a kettős digitális FET több különböző digitális tranzisztort képes helyettesíteni különböző torzításiellenállás-értékekkel.

N-Ch
0,50 A, 25 V
RDS(ON) = 0,45 Ω @ VGS= 4,5 V
RDS(ON) = 0,60 Ω VGS= 2,7 V MELLETT
P-Ch
-0,41 A, -25 V
RDS(ON) = 1,1 Ω VGS= -4,5 V MELLETT
RDS(ON) = 1,5 Ω VGS= -2,7 V MELLETT
Nagyon kis méretű csomag (SC70-6).
Nagyon alacsony szintű kamraajtó meghajtás igény, ami lehetővé teszi a közvetlen működést 3 V-os áramkörökben (VGS(th)< 1,5 V).
Geát-forrásanyag ESD-zavartűrés (>6 kV-os Emberi test modell).
Alkalmazások
Ez a termék általános célú felhasználásra készült, és számos különböző alkalmazáshoz megfelel.