Digitális tranzisztor FDG328P, 6-tüskés

A P-csatornás 2,5 V-os meghatározott MOSFET a Advanced PowerTch eljárás robusztus kapujában kerül forgalomba. A kapumeghajtó-feszültségek széles köréhez optimalizálták (2,5 V - 12 V).

-1,5 A, -20 V
RDS(ON) = 0,145Ω VGS MELLETT = -4,5 V
RDS(BE) = 0,2 Ω VGS MELLETT = -2,5 V
Alacsony kaputöltés
Nagy teljesítményű árok technológia a rendkívül alacsony RDS-értékekhez(BE)
Kompakt, ipari szabványnak megfelelő SC70-6 felületi szerelésű csomag
Alkalmazások
Ez a termék általános célú felhasználásra készült, és számos különböző alkalmazáshoz megfelel.