RF bipoláris tranzisztor BFP640H6327XTSA1, NPN, 50 mA, 4,1 V

Az Infineon szilícium-germánium-szén (SiGe:C) NPN heterojunction széles sávú bipoláris RF-tranzisztor (HBT) műanyag kettős emissziós szabványos csomagolásban látható vezetékekkel. Az eszköz belső védelmi áramkörökkel van felszerelve, amelyek jelentősen növelik az ESD elleni robusztusságot és a nagy RF bemeneti teljesítményt. Az eszköz robusztusságát nagyon magas RF-növeléssel és alacsony működési áram mellett a legalacsonyabb zajszinttel kombinálja, így számos vezeték nélküli alkalmazásban használható. A BFP640ESD különösen alkalmas hordozható akkumulátoros alkalmazásokhoz, ahol az alacsonyabb energiafogyasztás kulcsfontosságú követelmény. Az eszköz kialakítása akár 4,1 V-os kollektorfeszültséget is támogat.

Robusztus, nagy teljesítményű, alacsony zajszintű erősítő az Infineon megbízható
Integrált védelmi áramköröknek köszönhetően 2 kV-os ESD robusztusság (HBM)
Nagy maximális RF bemeneti teljesítmény: 21 dBm