Az Infineon extra alacsony zajszintű vezeték-vezérlő NPN bipoláris RF tranzisztorok széles választéka. Ezek a hetero-csatlakozó bipoláris eszközök az Infineon szilícium-germánium szénatomot (SiGe:C) használnak, és különösen alkalmasak olyan mobil alkalmazások használatára, amelyekben az alacsony energiafogyasztás kulcsfontosságú. Az akár 65 GHz-es jellemző átmeneti frekvenciákkal ezek az eszközök akár 10 GHz-es frekvencián is nagy teljesítménynövekedést biztosítanak erősítőalkalmazásokhoz. A tranzisztorok tartalmaznak egy belső áramköri áramkört ESD-hez és egy túlzott RF bemeneti tápellátás-védelemhez.